Выбор транзисторов предварительных каскадов усиления

Параметры мощного каскада:
, в параллель включены два транзистора КТ816А (КТ817А), входное сопротивление которых . Тогда ток нагрузки каскада предварительного усиления:

а входное сопротивление оконечного каскада усиления (сопротивление нагрузки предварительного каскада усиления):

Максимальное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора:

Исходя из полученных условий, выбираем комплементарную пару транзисторов BC327-40 и BC337-40, параметры которых приведены в
таблице 4.

Таблица 4. Паспортные данные транзистора

Параметры	Единица измерения	Марки транзисторов и тип их проводимости
BC327-40	BC337-40
	В
	В	0,7	0,7
	В
	В
	А	0,5	0,5
	А	0,1	0,1
	мА	0,1	0,1
	мА	-	-
	Вт	0,625	0,625
	-
	-
		-	-
		-	-
	кГц
		0,858	0,858
	г	0,7	0,7

7 Расчёт сопротивлений резисторов промежуточных
каскадов усиления

В качестве усилителя-сумматора предварительно выбираем операционный усилитель OP07 со следующими параметрами: максимальное напряжение на выходе ; максимальный выходной ток ; минимально допустимое значение сопротивления нагрузки . Поскольку данные о внутреннем сопротивлении микросхемы отсутствуют, для расчётов принимаем . Для предварительного усилителя выбираем комплементарную пару транзисторов BC327-40 и BC337-40.

Для стыковки усилителя-сумматора и оконечного каскада (схема включения с общим эмиттером) потребуется один усилительный каскад (т.к. допустимый выходной ток ОУ – 1,35 мА больше требуемого входного тока промежуточного каскада – )
со следующими данными: напряжение источника питания ; ток нагрузки каскада ; сопротивление нагрузки усилительного каскада . Схема усилительного каскада приведена на рисунке 6, где А и В – точки подключения следующего каскада, а эквивалентная расчетная схема одного плеча показана на рисунке 7.

Рис.6. Схема усилительного каскада

Рис.7. Эквивалентная расчётная схема одного плеча

Расчет резисторов промежуточных каскадов ведется графо-аналитически построением области допустимых значений, ограниченной прямыми, соответствующим условиям:

достаточности входного напряжения;

ограничения тока базы транзистора максимально допустимым значением;

требуемого входного сопротивления каскада;

обеспечения требуемой термостабильности;

обеспечения требуемого тока нагрузки;

ограничения максимально допустимого значения обратного напряжения база–эмиттер.

Условие 1:

Условие 2:

Условие 3:

Условие 4:

Условие 5:

Условие 6:

Из полученной на рис. 8 области выбираем ; и соответствующее ему значение . Из условия 6 следует, что
, в результате принимаем , получаем
.

Рис.8. Изображение результатов условий 1- 6