Расчет конструкции теплоотвода для размещения двух транзисторов

Исходя из , зададимся размерами основания см, см и его толщиной мм.

Тепловой коэффициент проектируемого радиатора

Поскольку транзисторы марки КТ816А(КТ817А) имеют основание в виде прямоугольника, то для проведения дальнейших расчётов находим радиус эквивалентной окружности:

Определяем коэффициенты для дальнейших расчётов:

(В качестве материала радиатора выбирается алюминий, имеющий теплопроводность λ = 170 Вт/м⋅ град).

Выбираем по ближайшим к полученным значениям и по табл. 2.2 [1]. В результате принимаем .

Определяем коэффициент теплоотдачи поверхности радиатора и коэффициент :

По известным и из графика (рис. 2.6 [1]) принимаем .

Определяем величину перегрева радиатора в области монтажа транзистора, среднеповерхностный перегрев радиатора и максимальную температуру теплоотвода:

Принимаем коэффициент в соответствии с таблицей 2.3 [1].

Вычисляем коэффициенты и (для неокрашенного радиатора: ):

и суммарный коэффициент :

и эффективный коэффициент теплоотдачи ребристой поверхности радиатора:

По найденному значению определяем площадь ребристой поверхности радиатора:

Определим число рёбер , приняв и :

Определяем высоту рёбер:

3.2 Расчет конструкции радиатора на каждый из двух
параллельно включенных транзисторов

В этом случае мощность, рассеиваемая одним транзистором, будет , а площадь основания теплоотвода . Тогда зададимся размерами основания радиатора H = 5 см, D = 3 см и его
толщиной d₂ = 3 мм.

Тепловой коэффициент проектируемого радиатора

Находим радиус эквивалентной окружности для транзисторов КТ816А (КТ817А)

Затем определяем коэффициенты:

Выбираем по ближайшим к полученным значениям и по табл. 2.2 [1]. В результате принимаем .

Определяем коэффициент теплоотдачи поверхности радиатора и коэффициент :

По известным и из графика (рис. 2.6 [1]) принимаем .

Определяем величину перегрева радиатора в области монтажа транзистора, среднеповерхностный перегрев радиатора и максимальную температуру теплоотвода:

Принимаем коэффициент в соответствии с таблицей 2.3 [1].

Вычисляем коэффициенты и (для неокрашенного радиатора: ):

и суммарный коэффициент :

и эффективный коэффициент теплоотдачи ребристой поверхности радиатора:

По найденному значению определяем площадь ребристой поверхности радиатора:

Определим число рёбер , приняв и :

Определяем высоту рёбер:

Сравнивая полученные результаты, можно определить объем теплоотвода. В случае общего для двух транзисторов радиатора габаритный

объем составляет

а для двух отдельных радиаторов

Таким образом, с точки зрения габаритного объема, в данном случае целесообразно применить общий теплоотвод для двух транзисторов.

Рис.3. Устройство теплоотвода транзистора