Перечень вопросов билетов итогового контроля (зачет) по дисциплине

“Электроника и микропроцессорная техника, схемотехника”

1. Поясните понятие электронной цепи. Назовите ее состав и назначение ее элементов

2. На входе интегрирующей RC цепи действуют последовательности прямоугольных импульсов, длительностью импульса t_и и периодом повторения Т, с амплитудой +А за время 5Т, и с амплитудой –А за время больше, чем 5Т.

Постройте графики выходного напряжения при : а) много больше t_и; б) равно t_и; в) меньше t_и.

3. На входе дифференцирующей RC цепи действуют последовательности прямоугольных импульсов, длительностью импульса t_и и периодом повторения Т, с амплитудой +А за время 5Т, и с амплитудой –А за время больше, чем 5Т.

Постройте графики выходного напряжения при : а) много больше t_и; б) равно t_и; в) меньше t_и.

1. Определить t_ф импульса на выходе интегр. RC-цепи при R=1кОм, С=1мкФ.
2. t_ф импульса на выходе интегр. RC-цепи 2,2 мсек. Определить f_в.
3. На вход интегрирующей RC-цепи (t=100мксек) подается одиночный импульс амплитудой 10В, длительностью 1мксек. Определить амплитуду импульса на выходе.
4. На вход диф-цепи (R=1кОм, С=1мкФ) подается скачек напряжения 10В. Определить амплитуду и длительность импульса на выходе.
5. Как связаны между собой значения верхней граничной частоты ω_в и времени нарастания t_ф.

9. Поясните принцип работы биполярного транзистора. Приведите его характеристики и параметры.

10. Нарисуйте схемы замещения биполярного транзистора, включенного по способам ОЭ, ОБ, ОК.

11. Поясните понятие рабочей точки на характеристиках транзистора.

12. Какими соотношениями связаны между собой токи в цепях эмиттера, базы и коллектора.

13. Запишите уравнение идеализированных коллекторных характеристик БТ, включенного по способам ОЭ, ОБ.

14. Каким требованиям должно удовлетворять положение рабочей точки на характеристиках транзистора? От чего зависит стабильность рабочей точки?

15. Чем определяются частотные зависимости в транзисторе?

16. Сформулируйте основные свойства схем включения ОЭ, ОБ, ОК.

17. Нарисуйте схемы однокаскадных усилителей типа ОЭ, ОК, ОБ и поясните назначение их элементов.

18. Какими элементами схем определяется статический режим работы схемы?

19. Запишите выражения для расчета токов базы, эмиттера, коллектора транзистора.

20. Дайте определение динамических параметров Z_ВХ, Z_ВЫХ, К_U, К_I усилителя.

21. Дайте определение амплитудной, амплитудно-частотной и амплитудно-фазовой характеристик усилителя.

22. Нарисуйте схемы замещения исследуемых усилителей по постоянному току.

23. Нарисуйте схемы замещения усилителей по переменному току.

24. Поясните методику нахождения динамических параметров усилителя.

25. Напишите выражения для расчета динамических параметров схем ОЭ, ОК, ОБ.

26. Дайте определения верхней и нижней граничных частот АЧХ,

коэффициента частотных искажений и полосы пропускания усилителя.

27. Запишите выражения для расчета граничных частот усилителя.

28. От чего зависит стабильность рабочей точки.

29. Сравните схемы ОЭ, ОБ, ОК с точки зрения частотных свойств.

30. Поясните принцип работы полевого транзистора. Приведите его характеристики и параметры.

31. Нарисуйте схемы замещения полевого транзистора для постоянного и переменного тока.

32. Поясните особенности работы дифференциального усилителя.

33. Назовите основные параметры ОУ и поясните их физический смысл.

34. Нарисуйте и поясните ход амплитудной характеристики ОУ.

35. Чем определяются ошибки статического режима ОУ?

36. Расскажите о частотных свойствах ОУ.

37. Поясните принцип организации проведения операций суммирования, вычитания, интегрирования и др. с помощью ОУ.

38. Сформулируйте свойства инвертирующего и неинвертирующего включений ОУ.

39. Что такое обратная связь в усилителях? Назовите основные квалификационные признаки обратной связи.

40. Сформулируйте свойства основных видов обратной связи.

1. Объясните влияние обратных связей на характеристики усилителей.
2. Условие насыщения транзистора.
3. Условие запирания транзистора.
4. Основные этапы при переключении ключей.

45. В схеме усилителя с общим эмиттером Ег=3В, Rб=25Ком, Rк=1Ком, Ек=10В, =50, Uбэ=0,5В. Построить линию нагрузки и определить параметры статического режима.

46. В схеме усилителя с общим эмиттером Ег=4,5В, Rк=1Ком, Ек=10В, =50, Uбэ=0,5В, Iк=2мА. Построить линию нагрузки, определить параметры статического режима, Rб.

1. В схеме ключа с ОЭ R_к=10кОм, Е_п=10В, b=20, R_б=10кОм, Uвх=1В, U*=0,6В. В каком состоянии находится транзистор?
2. Ключ ОЭ. Uвх=-1В, R_б=100кОм, I_ко=13мкА. Транзистор открывается при Uбэ>0,5В. В каком состоянии находится транзистор?
3. Ключ с ОК. Rэ=1кОм, R_б=1кОм, Е_п=5В, Uвх=4В, b=50. В каком состоянии находится транзистор?
4. Ключ ОЭ. Е_п=+10В, Lк=10мГн, b=10, Uвх=0,+10В, tи=5мксек, R_б=10кОм. Определить Iкmax.
5. Ключ ОЭ. Параллельно КЭ подключен конденсатор с С=1мкФ. R_к=1кОм, Е_п=+10В, Uвх насыщает и выключает транзистор с tи=10мсек, T=20мсек.. Определить Кнел на выходе.