Мегаобучалка Главная | О нас | Обратная связь


Эмиттерный повторитель (VT1,VT2)



2016-01-05 681 Обсуждений (0)
Эмиттерный повторитель (VT1,VT2) 0.00 из 5.00 0 оценок




1. Параметры транзистора VT2:

Þ В

2. Выберем тип транзистора VT2 (n-p-n), соответствующий найденным параметрам:

Модель Тип P, Вт Uкэ, В Ikmax, мA βmin fгр, МГц Cк, пФ Iко, мА
VT2 КТ315Ж n-p-n 0,1 15 50 30 100 10 0,05

3. Ток базы:

А.

4. Напряжение на резисторе R5:

В.

5. Параметры транзистора VT1:

А.

В.

6. Выберем тип транзистора VT1 (n-p-n), соответствующий найденным параметрам:

Модель Тип P, Вт Uкэ, В Ikmax, мA βmin fгр, МГц Cк, пФ Iко, мА
VT1 КТ315Ж n-p-n 0,1 15 50 30 100 10 0,05

7. Ток базы VT1:

А.

8. Пересчет токов:

;

;

;

;

9. Ток делителя:

А

10. Значение сопротивления R5:

Ом

Þ Ом, В.

11. Примем значение R4: Ом Þ

Ом

12. Значения напряжения на резисторах базового делителя:

В.

В.

13. Значения сопротивлений резисторов базового делителя:

Ом Þ

Ом, В

Ом Þ Ом, В

14. Значение емкости конденсатора C2:

мкФ.

15. Величина RЭ~:

16. Входное сопротивление VT1:

Ом.

17. Коэффициент передачи повторителя:

Ом;

Ом;

18. Входные параметры повторителя:

В.

Ом.

19. Амплитуда входного напряжения:

В.

РАЗДЕЛИТЕЛЬНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ

1. Расчет конденсаторов производится на низких частотах. Распределив искажения равномерно между ними, получим следующее:

2. Расчет емкости конденсаторов производится по формуле:

3. Емкость конденсатора С1.

мкФ.

4. Емкость конденсатора С3.

мкФ.

5. Емкость конденсатора С4.

мкФ.

6. Емкость конденсатора С5.

мкФ.

7. Емкость конденсатора С7.

мкФ.

8. Емкость конденсатора С9.

мкФ.

9. Емкость конденсатора С11.

мкФ.

10. Емкость конденсатора С12.

мкФ.

11. Емкость конденсатора С14.

мкФ.

12. Емкость конденсатора С15.

мкФ.

13. Емкость конденсатора С20.

мкФ.


ЧАСТОТНЫЕ ИСКАЖЕНИЯ НА ВЕРХНИХ ЧАСТОТАХ

1. Параметры по тех. заданию:

2. Каскад на транзисторах VT12, VT13:

3. Каскад на транзисторе VT10:

4. Каскад на транзисторе VT11:

5. Каскад на транзисторе VT9:

6. Каскад на транзисторе VT4:

7. Каскад на транзисторе VT3:

8. Суммарный коэффициент частотных искажений:

< 1.033 = MВ


АЧX И ФЧХ УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ

1. Общее выражение для :

,

где ;

2. Выражение для ФЧХ:

СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

1. Стабилитрон VD1:

КС139А : ± 0.33 В, мА, мА, мА, Вт.

А;

Ом Þ Ом.

А

2. Стабилитрон VD2:

КС210Ж: ± 1 В, мА, мА, мА, Вт.

А;

Ом Þ Ом

А.

3. Стабилитрон VD3:

КС168А: ± 0.68 В, мА, мА, мА, Вт.

А;

Ом Þ Ом

А.

РАСЧЕТ РАДИАТОРОВ

1. Радиаторы требуется установить на следующих транзисторах: VT12, VT13.

2. Площадь радиатора определяется по следующей формуле:

(см2)

где – коэффициент теплоизлучения от теплоотвода в окружающую среду; для дюралюминия .
– тепловое сопротивление переход-среда, К/Вт.
где – температура перехода;
– температура окружающей среды
– рассеиваемая мощность.

3. Радиатор для транзистора VT12:

К/Вт Þ см2;

4. Радиатор для транзистора VT13:

К/Вт Þ см2;

КАРТЫ РЕЖИМОВ

Резисторы

Позиционное обозначение Тип Номинал, Ом Ток, А Напряжение, В Мощность, Вт
МЛТ-0.125 R1 0.0144091 31.700 0.4568
МЛТ-0.125 R2 0.0009135 0.100 0.0001
МЛТ-0.125 R3 0.0009044 3.256 0.0029
МЛТ-0.125 R4 0.0000090 0.145 0.000001
МЛТ-0.125 R5 0.0030840 1.727 0.0053
МЛТ-0.125 R6 0.0000191 0.007 0.0000001
МЛТ-0.125 R8 0.0008952 5.550 0.0050
МЛТ-0.125 R9 0.0008138 1.465 0.0012
МЛТ-0.125 R10 0.0000258 0.070 0.000002
МЛТ-0.125 R11 0.0124308 4.102 0.0510
МЛТ-0.125 R12 0.0122882 0.688 0.0085
МЛТ-0.125 R13 0.0003185 0.076 0.00002
МЛТ-0.125 R14 0.0333333 25.000 0.8333
МЛТ-0.125 R15 0.0020560 8.018 0.0165
МЛТ-0.125 R16 0.0018691 1.869 0.0035
МЛТ-0.125 R17 0.0004518 1.084 0.0005
МЛТ-0.125 R18 0.0332994 6.660 0.2218
МЛТ-0.125 R19 0.0322417 1.161 0.0374
МЛТ-0.125 R20 0.0376000 28.200 1.0603
МЛТ-0.125 R21 0.0001212 1.212 0.0001
МЛТ-0.125 R22 0.0001102 5.621 0.0006
МЛТ-0.125 R23 0.0000110 0.165 0.000002
МЛТ-0.125 R24 0.0061828 4.204 0.0260
МЛТ-0.125 R25 0.0010207 0.102 0.0001
МЛТ-0.125 R26 0.0005103 0.612 0.0003
МЛТ-0.125 R27 0.0003034 0.819 0.0002
МЛТ-0.125 R28 0.0000041 1.119 0.0000
СП3-4М R29 0.0011227 1.123 0.0013
МЛТ-0.125 R31 0.0011270 1.127 0.0013
МЛТ-0.125 R32 0.0011158 5.691 0.0063
МЛТ-0.125 R33 0.0000112 0.167 0.000002
МЛТ-0.125 R34 0.0062597 4.257 0.0266
МЛТ-0.125 R35 0.0011760 1.070 0.0013
МЛТ-0.125 R36 0.0001310 2.620 0.0003
МЛТ-0.125 R37 0.0001643 7.066 0.0012
МЛТ-0.125 R38 0.0053557 6.427 0.0344
МЛТ-0.125 R39 0.0053557 8.569 0.0459
МЛТ-0.125 R40 0.0038972 3.546 0.0138
МЛТ-0.125 R41 0.0050333 1.812 0.0091
МЛТ-0.125 R42 0.0001643 7.724 0.0013
МЛТ-0.125 R43 0.0021042 9.890 0.0208
МЛТ-0.125 R44 0.0452131 1.763 0.0797
МЛТ-0.125 R45 0.0291610 1.808 0.0527
МЛТ-1 1.5 R46 0.5979733 0.897 0.5364
МЛТ-1 1.5 R47 0.6129200 0.919 0.5635

 

Транзисторы

Позиционное обозначение Тип Uкэ, В Uбэ, В Iк, А Iб, мА Pк, Вт
КТ315Ж VT1 0.699 0.808 0.00009 0.000009 0.00006
КТ315Ж VT2 1.507 0.808 0.00298 0.000099 0.00450
КТ3102Б VT3 2.092 0.785 0.01221 0.000081 0.0255
КТ3102Б VT4 3.393 0.869 0.02804 0.000187 0.0951
КТ342Б VT5 1.815 0.808 0.000110 0.000011 0.0002
КТ342Б VT6 2.623 0.808 0.00606 0.000121 0.0159
КТ342Б VT7 1.762 0.808 0.00011 0.000011 0.0002
КТ342Б VT8 2.570 0.808 0.00614 0.000123 0.0158
КТ373Б VT9 14.892 0.808 0.00500 0.00003 0.0745
КТ815А VT10 15.684 0.895 0.058 0.0015 0.91
КТ626А VT11 15.684 0.895 0.044 0.0011 0.69
КТ815А VT12 16.592 0.908 0.583 0.0146 9.673
КТ815А VT13 16.592 0.908 0.598 0.0150 9.922

Конденсаторы

Позиционное обозначение Тип Номинальная емкость, мкФ Номинальное напряжение, В
C1 К53-16 1 1.6
C2 К50-6 100 6.3
C3 К50-6 47 6.3
C4 К50-6 33 6.3
C5 К50-6 47 6.3
C6 К50-6 680 10
C7 К50-6 33 6.3
C8 К50-6 680 6.3
C9 К53-16 22 1.6
C10 К53-16 10 1.6
C11 К50-6 3.3 6.3
C12 К53-16 0.68 1.6
C13 К53-16 33 1.6
C14 К50-6 33 25
C15 К50-6 22 25
C16 К50-6 22 25
C17 К50-6 0.68 25
C18 К50-6 10 25
C19 К50-6 47 25
C20 К10-17 1500 25

Стабилитроны

Позиционное обозначение Тип Uст. ном., В I, А
VD1 КС139А 3.3 0.0104
VD3 КС210Ж 10 0.00324
VD4 КС168А 6.8 0.011

СПЕЦИФИКАЦИЯ

Резисторы

№ п/п Позиция Тип Количество
1 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R25, R26, R27, R28, R31, R32, R33, R34, R35, R36, R37, R38, R39, R40, R41, R42, R43, R44, R45 МЛТ-0,125 42
2 R46, R47 МЛТ-1 2
3 R29 СП3-4М 1

Транзисторы

№ п/п Позиция Тип Количество
1 VT1, VT2 КТ315Ж 2
VT3, VT4 КТ3102Б 2
VT5, VT6, VT7, VT8 КТ815Б 4
VT9 КТ373Б 1
VT10, VT12, VT13 КТ815A 3
VT11 КТ626А 1

Конденсаторы

№ п/п Позиция Тип Количество
1 С1, С10, С9, С12, С13 К53-16 5
2 С2, С3, С4, С5, С6, С7, С8, С11, С14, С15, С16, С17, С18, С19 К50-6 14
3 С20 К10-17 1

Стабилитроны

№ п/п Позиция Тип Количество
1 VD1 КС139А 1
2 VD2 КС210Ж 1
3 VD3 КС168А 1

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

 

1. Нефедов А.В. и Гордеева В.И.

Справочник. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги –М.: “КУбК-а”,1995.

2. Галкин В.И., Булычев А.Л., Лямин П.М.

Справочник. Полупроводниковые приборы. Диоды. Тиристоры.– Минск: “Беларусь”, 1994.

3. Горюнов Н.Н.

Справочник. Полупроводниковые приборы: транзисторы.–Москва: “Энергоатомиздат”, 1985.

4. Крамнюк А.И.

Электроника и схемотехника: Учебное пособие. Ч 3-5.–Тюмень: ТюмГНГУ, 2001



2016-01-05 681 Обсуждений (0)
Эмиттерный повторитель (VT1,VT2) 0.00 из 5.00 0 оценок








Обсуждение в статье: Эмиттерный повторитель (VT1,VT2)

Обсуждений еще не было, будьте первым... ↓↓↓

Отправить сообщение

Популярное:
Модели организации как закрытой, открытой, частично открытой системы: Закрытая система имеет жесткие фиксированные границы, ее действия относительно независимы...
Как вы ведете себя при стрессе?: Вы можете самостоятельно управлять стрессом! Каждый из нас имеет право и возможность уменьшить его воздействие на нас...
Генезис конфликтологии как науки в древней Греции: Для уяснения предыстории конфликтологии существенное значение имеет обращение к античной...



©2015-2024 megaobuchalka.com Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (681)

Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку...

Система поиска информации

Мобильная версия сайта

Удобная навигация

Нет шокирующей рекламы

(0.008 сек.)