Сводка промежуточных результатов

№	Параметр	Значение
	Диффузионная длина примеси в базе	Lb = 0,2426 мкм
	Диффузионная длина примеси в эмиттере	Le = 0,1289 мкм
	Градиент концентрации примеси в переходе Э-Б	= 4,9*1023 см-4
	Градиент концентрации примеси в переходе К-Б	= 1,7*.1022 см-4
	Контактная разность потенциалов перехода Э-Б	0,97 В
	Контактная разность потенциалов перехода К-Б	0,85 В
	Равновесная ширина перехода Э-Б	0,054 мкм
	Ширина перехода Э-Б в рабочем режиме	0,03 мкм
	Равновесная ширина перехода К-Б	0,16 мкм
	Ширина перехода К-Б в рабочем режиме	0,24 мкм
	Концентрация примеси в базе на границе с переходом Э-Б	5,6*1017 см-3
	Концентрация примеси в базе на границе с переходом К-Б	4,7*1017 см-3
	Толщина базы	= 0,12 мк
	Толщина эмиттера = 0,24 мкм	= 0,24 мкм
	Средняя концентрация примеси в базе	2,2*1017 см-3
	Среднее значение коэффициента диффузии электронов в базе	15 см2/с
	Число Гуммеля в базе	2,8*1011см-4×с
	Эффективная концентрация примеси в эмиттере	4,3*1018 см-3
	Среднее значение коэффициента диффузии дырок в эмиттере	1,3 см2/с
	Эффективное число Гуммеля в эмиттере	78×1012 см-4с
	Среднее время диффузии электронов через базу	пс
	Эффективность эмиттера	=0,996
	Фактор поля в базе
	Среднее время пролета электронов через базу	= 4,3 пс
	Дифференциальное сопротивление перехода Э-Б	260 Ом
	Коэффициент переноса	1

2.9 Факультативное задание: Расчет параметров малосигнальной

эквивалентной схемы

Малосигнальная схема Джиаколетто показана на рисунке 2.7. Параметры схемы были описаны ранее.

Рисунок 2.7 - Малосигнальная эквивалентная схема Джиаколетто для n-p-n транзистора.

В предыдущих разделах уже были рассчитаны: C_E, C_C, C_Ed, r_E.

Расчёт крутизны ВАХ:

мА/В

Наибольший вклад в r_B вносит сопротивление тонкой и слаболегированной - активной базы (под эмиттером) длиной w_B и площадью поперечного сечения S_e=a_e*b_e. ( )

Так как 2,2×10¹⁷ см^-3 (вычислено ранее), то подвижность дырок в p-базе определяется как:

см²/В×с.

Рассчитываем r_B:

Наибольший вклад в сопротивление тела коллектора вносит тонкий и слаболегированный n-слой под базой, а также аналогичный слой между n+-скрытым слоем и n+-контактом к коллектору, как показано на рисунке 2.8.

Рисунок 2.8 – Области, определяющие сопротивление тела коллектора и линия протекания тока в структуре

Так как N_c=10¹⁷ см^-3 (по заданию), то подвижность электронов n-коллекторе определяется как:

775 см²/В×с.

Рассчитываем r'_c (из рисунка 2.8 и топологии транзистора) :

Ом*см

90 Ом

Вывод: провели расчет параметров малосигнальной эквивалентной схемы Джиаколетто.

2.10 Факультативное задание: Расчет граничных частот в схемах ОБ, ОЭ

и предельной частоты

Верхняя граничная частота в схеме ОБ :

=46ГГц

Верхняя граничная частота в схеме ОЭ :

МГц;

Предельная частота (в схеме ОЭ) :

ГГц;

Для идеального транзистора ( , , , ):

ГГц;

ГГц;

ГГц