Включение p-n-перехода под обратное напряжение:

Полярность внешнего напряжения: + - к n, - - к р. Полярность приложенного напряжения соответствует полярности U_зап.

Разность потенциалов р-n-перехода увеличивается основные носители заряда от пограничного удаляются от запирающего слоя и увеличивают его толщину R I (обратный ток, обратное напряжение). Обратный ток обусловлен неосновными носителями. I_пр≈10² – 10³I_обр.

2. Полупроводниковый диод, его свойства и область применения.

Iпр

Полупроводниковые диоды относятся к электронным приборам, использующим одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода.

Р-n-переход

обладает неодинаковыми

Сопротивлениями в прямом

и обратном направлениях;

Можно преобразовать

I_перем в I_пост.

Д И О Д Ы

Точечные плоскостные (слоистые)

Электронно-дырочный переход создаётся в основаны на использовании р-n-перехода.

Месте контакта пластинки Ge (Si) с заострён- Изготовляются методом сплавления Ge с In

Ной металлической проволочкой, имеющей (акцептором). При нагревании In плавится

акцепторные\донорные примеси. и диффундирует в Ge на границе с In у

Исп-ся: Ge – дырочная односторонняя

- в маломощных выпрямительных схемах; проводимость.

- для детектирования и преобразования Исп-ся:

Частоты; - выпрямление, преобразование, стабили-

- в измерительной аппаратуре зация, генерация и т.п.

2 опасных случая:

1) U_обр.max>[U]

Включаем несколько диодов последовательно для равномерного распределения напряжения между ними. Из-за разброса параметров диодов может R_обр. различны U распределяется между диодами ~ их R может также быть U_обр.max>[U] на одном из них подключаются активные сопротивления R_ш~1-10 кОм.

2) I>[I]

Rд D1     Rд D2

Rш Rш

D1 D2

Применяется параллельное включение диодов. Чтобы устранить разброс R диодов на работу схемы, последовательно с ними подключаются добавочные сопротивления R_д~0,2-0,8 кОм.

 

1) 2)

 

3. Принцип действия транзистора (полупроводникового триода).

Полупроводниковый триод (транзистор) представляет собой электронный прибор, основанный на свойствах двух, расположенных весьма близко друг к другу, электронно-дырочных р-n переходов.

Основной элемент транзистора – кристалл германия или кремния, в котором с помощью соответствующих примесей создаются три слоя с различными типами проводимости.

 

 

Б

Ge Si

 

Принцип действия транзисторов обоих типов один и тот же. Различие состоит лишь в выборе полярности присоединяемых источников питания.