Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером

Чайковский филиал

Федерального государственного бюджетного

Образовательного учреждения высшего образования

«Пермский национальный исследовательский политехнический университет»

(ЧФ ПНИПУ)

 

Пояснительная записка к курсовой работе

по дисциплине: «Преобразовательные устройства»

на тему:

«Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером»

 

Выполнил

Студент гр. АТПП-14-1 боз. Радостев Е.Р.

 

Принял

Доцент. Ковязин А.В.

 

 

2018г.

СОДЕРЖАНИЕ

Введение3

Задание 4

Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером5

Вывод 7

Приложение 1

 

 

Введение

Биполярный транзистор, это полупроводниковый прибор, состоящий из двух p − n переходов и имеющий три вывода. Биполярный транзистор (далее просто транзистор) состоит из трёх чередующихся областей полупроводников, имеющих проводимость p и n типов (рис. 3). В зависимости от их расположения различают транзисторы p − n − p и n − p − n типов. Условные графические обозначения транзисторов обоих типов приведены на рис.4 . Выводы транзистора имеют следующие наименования: Э – эмиттер, Б – база и К – коллектор. Направление стрелки указывает положение области с проводимостью n типа.

Рисунок 3 - . Упрощённая структура биполярного транзистора

Рисунок 4 – Условные графические обозначения транзистора

 

 

 

Задание на курсовую работу

Рассчитать параметры схемы усилительного каскада с общим эмиттером на примере транзистора КТ315 при следующих значениях номиналов элементов схемы: Е_к = 25 В, R_к = 100 Ом, R₁ = 10 кОм.

 

Электрическая схема:

Рисунок 1 – Схема усилительного каскада с общим эмиттером

Вольт – амперные характеристики (ВАХ) транзистора КТ315:

Рисунок 2 – ВАХ транзистора (p-n-p) в схеме ОЭ: а) выходные; б) входные

 

Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером

По графикувыходных характеристик транзистора мы отмечаем: и

По графику входных характеристик транзистора мы находим:

По второму закону Кирхгофа находим ток .

Рассчитываем сопротивление R_2.

По графику входных характеристик отмечаем и ∆ .

По графику выходных характеристик находим и ∆

После этого рассчитываются hпараметры транзистора.

-входное сопротивление схемы.

-коэффициент обратной связи по напряжению.

-коэффициент передачи по току или усиление по I.

-выходная проводимость.

Зная параметрырассчитаем следующие параметры.

Выходные сопротивление схемы.

коэффицент усиления по напряжению.

 

Вывод:

В данной курсовой были рассчитаны параметры схемы усилительного каскада с общим эмиттером транзистора КТ 315. На графиках входных и выходных характеристик транзистора отмечены параметры,используемые в расчетах усилительного каскада на транзисторе.